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| 브랜드 이름: | PRECISE INSTRUMENT |
| MOQ: | 1 단위 |
| 배달 시간: | 2~8주 |
| 지불 조건: | T/T |
10Hz-1MHz 반도체 장치 C-V 테스트 시스템
용량-전압 (C-V) 측정은 반도체 매개 변수를 특징짓기 위해 널리 사용되고 있으며, 특히 MOS 콘덴시터 (MOS CAPs) 와 MOSFET 구조에서 사용된다.금속 산화물 반도체 (MOS) 구조의 용량은 적용 된 전압의 함수입니다.전압과 용량 변동을 나타내는 곡선은 C-V 곡선 (또는 C-V 특성) 이라고 불립니다. 이 측정은 다음을 포함하여 중요한 매개 변수의 정확한 규정을 가능하게합니다.
·산화층 두께 (dox)
·서브스트라트 도핑 농도 (Nn)
·산화물 안의 이동 전하 밀도 (Q1)
·고정된 산화물 전하 밀도 (Qfc)
제품 특성
▪폭 넓은 주파수 범위: 10 Hz ∼1 MHz, 지속적으로 조절 가능한 주파수 포인트.
▪높은 정밀도 및 넓은 동적 범위: 0.1%의 정확도로 0V~3500V 편향 범위
▪내장 CV 테스트: 통합 자동화 된 CV 테스트 소프트웨어는 C-V (역량-전압), C-T (역량-시간) 및 C-F (역량-주파수) 를 포함한 여러 기능을 지원합니다.
▪IV 테스트 호환성: 동시에 고장 특성과 누출 전류 행동을 측정합니다.
▪실시간 곡선 플롯링: 직관적인 소프트웨어 인터페이스는 실시간 모니터링을 위해 테스트 데이터와 곡선을 시각화합니다.
▪높은 확장성: 모듈형 시스템 설계는 테스트 필요에 따라 유연한 구성을 가능하게합니다.
제품 매개 변수
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부문 |
매개 변수 |
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테스트 주파수 |
10Hz-1MHz |
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주파수 출력 정확성 |
±0.01% |
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기본 정확성 |
±0.5% |
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AC 테스트 신호 수준 |
10mV~2Vrms (1m Vrms 해상도) |
|
DC 테스트 신호 수준 |
10mV~2V (1m Vrms 해상도) |
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출력 저항 |
100Ω |
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용량 테스트 범위 |
00.01pF 9.9999F |
|
VGS 편향 범위 |
0 - ±30V (선택) |
|
VDS 편향 범위 |
300V~1200V |
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테스트 매개 변수 |
다이오드: CJ,IR,VR MOSFET:Ciss,Coss,Crss,Rg,IDSS,IGSS,BVDSS IGBT:Cies,Coes,Cres,ICES,IGES,VBRCES |
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인터페이스 |
RS232,LAN |
|
프로그램 프로토콜 |
SCPI, 연구실 |
신청서
▪나노물질: 저항성, 운반기 이동성, 운반기 농도, 홀 전압
▪유연한 재료: 팽창/거동/굽기 테스트, 전압 시간 (V-t), 전류 시간 (I-t), 저항 시간 (R-t), 저항성, 민감성, 접합 용량.
▪디스크리트 장치:BVDSS,IGSS,IDSS,Vgs ((th),Ciss/Coss/Crss (입출/반면).
▪광 탐지기: 암흑 전류 (ID), 연결 용량 (Ct), 역분열 전압 (VBR), 반응성 (R).
▪페로브스카이트 태양 전지:오픈 서킷 전압 (VOC), 단회로 전류 (ISC), 최대 전력 (Pmax), 최대 전력 전압 (Vmax), 최대 전력 전류 (Imax), 충전 요인 (FF), 효율성 (η),시리즈 저항 (Rs), 셔트 저항 (Rsh), 융합 용량.
▪LED/OLED/QLED: 앞전압 (VF), 임계전류 (Ith), 역전압 (VR), 역전류 (IR), 연결 용량.
비디오
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| 브랜드 이름: | PRECISE INSTRUMENT |
| MOQ: | 1 단위 |
| 포장에 대한 세부 사항: | 통. |
| 지불 조건: | T/T |
10Hz-1MHz 반도체 장치 C-V 테스트 시스템
용량-전압 (C-V) 측정은 반도체 매개 변수를 특징짓기 위해 널리 사용되고 있으며, 특히 MOS 콘덴시터 (MOS CAPs) 와 MOSFET 구조에서 사용된다.금속 산화물 반도체 (MOS) 구조의 용량은 적용 된 전압의 함수입니다.전압과 용량 변동을 나타내는 곡선은 C-V 곡선 (또는 C-V 특성) 이라고 불립니다. 이 측정은 다음을 포함하여 중요한 매개 변수의 정확한 규정을 가능하게합니다.
·산화층 두께 (dox)
·서브스트라트 도핑 농도 (Nn)
·산화물 안의 이동 전하 밀도 (Q1)
·고정된 산화물 전하 밀도 (Qfc)
제품 특성
▪폭 넓은 주파수 범위: 10 Hz ∼1 MHz, 지속적으로 조절 가능한 주파수 포인트.
▪높은 정밀도 및 넓은 동적 범위: 0.1%의 정확도로 0V~3500V 편향 범위
▪내장 CV 테스트: 통합 자동화 된 CV 테스트 소프트웨어는 C-V (역량-전압), C-T (역량-시간) 및 C-F (역량-주파수) 를 포함한 여러 기능을 지원합니다.
▪IV 테스트 호환성: 동시에 고장 특성과 누출 전류 행동을 측정합니다.
▪실시간 곡선 플롯링: 직관적인 소프트웨어 인터페이스는 실시간 모니터링을 위해 테스트 데이터와 곡선을 시각화합니다.
▪높은 확장성: 모듈형 시스템 설계는 테스트 필요에 따라 유연한 구성을 가능하게합니다.
제품 매개 변수
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부문 |
매개 변수 |
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테스트 주파수 |
10Hz-1MHz |
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주파수 출력 정확성 |
±0.01% |
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기본 정확성 |
±0.5% |
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AC 테스트 신호 수준 |
10mV~2Vrms (1m Vrms 해상도) |
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DC 테스트 신호 수준 |
10mV~2V (1m Vrms 해상도) |
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출력 저항 |
100Ω |
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용량 테스트 범위 |
00.01pF 9.9999F |
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VGS 편향 범위 |
0 - ±30V (선택) |
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VDS 편향 범위 |
300V~1200V |
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테스트 매개 변수 |
다이오드: CJ,IR,VR MOSFET:Ciss,Coss,Crss,Rg,IDSS,IGSS,BVDSS IGBT:Cies,Coes,Cres,ICES,IGES,VBRCES |
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인터페이스 |
RS232,LAN |
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프로그램 프로토콜 |
SCPI, 연구실 |
신청서
▪나노물질: 저항성, 운반기 이동성, 운반기 농도, 홀 전압
▪유연한 재료: 팽창/거동/굽기 테스트, 전압 시간 (V-t), 전류 시간 (I-t), 저항 시간 (R-t), 저항성, 민감성, 접합 용량.
▪디스크리트 장치:BVDSS,IGSS,IDSS,Vgs ((th),Ciss/Coss/Crss (입출/반면).
▪광 탐지기: 암흑 전류 (ID), 연결 용량 (Ct), 역분열 전압 (VBR), 반응성 (R).
▪페로브스카이트 태양 전지:오픈 서킷 전압 (VOC), 단회로 전류 (ISC), 최대 전력 (Pmax), 최대 전력 전압 (Vmax), 최대 전력 전류 (Imax), 충전 요인 (FF), 효율성 (η),시리즈 저항 (Rs), 셔트 저항 (Rsh), 융합 용량.
▪LED/OLED/QLED: 앞전압 (VF), 임계전류 (Ith), 역전압 (VR), 역전류 (IR), 연결 용량.
비디오
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