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| 브랜드 이름: | PRECISE INSTRUMENT |
| 모델 번호: | CS1010C |
| MOQ: | 1 단위 |
| 배달 시간: | 2~8주 |
| 지불 조건: | T/T |
1010C 반도체 및 물질 특성화를 위한 시험용 다채널 SMU 단위
1010C 모듈형 차체는 최첨단 기술과 혁신적인 엔지니어링을 통합합니다.현대 R&D 및 산업용 애플리케이션의 다양한 요구에 맞춘 고성능 테스트 솔루션을 제공이 매우 적응 가능한 플랫폼은 상호 교환 가능한 기능 하위 카드의 원활한 적응을 지원하는 통합 아키텍처를 갖추고 있습니다.반도체 검증을 통해 복잡한 테스트 시나리오의 정밀 실행을 가능하게 합니다., 첨단 재료 특성화, 다채널 센서 캘리브레이션
제품 특성
▪다채널 동기화:서브카드 수량/형의 유연한 구성
▪고속 변속기:3Gbps 백플레인 대역폭과 16채널 트리거 버스는 μs 수준의 동기화 정확성을 보장합니다.
▪표준 크기:19인치 표준 랙 호환성 공간 효율적인 통합
▪산업용 신뢰성:다층 EMI 보호 및 지능형 공기 냉각 시스템
▪멀티 프로토콜 인터페이스:GPIB/RS-232/기가비트 이더넷 인터페이스, 원활한 연결을 위해.
▪SCPI 지휘 지원:크로스 플랫폼 장치 캐스캐딩 제어 기능을 허용합니다.
▪광범위한 호환성:Pusces CS/CBI 시리즈 서브 카드와 원활한 통합
제품 매개 변수
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부문 |
매개 변수 |
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슬롯의 수 |
10개의 채널 |
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통신 인터페이스 |
RS-232, GPIB, 이더넷 |
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전원 공급 사양 |
AC 100-240V, 50/60Hz, 최대 전력 1000W |
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작동 환경 온도 |
25±10°C |
|
크기 |
552mm × 482mm × 354mm |
신청서
▪전력 반도체:시 (실리콘 카비드) 와 가 (가륨 나이트라이드) 로 대표되는 전력 반도체의 다양한 테스트에 사용되며, 분사 전압 테스트 및 노화 테스트를 포함합니다.전력 반도체 연구 개발 및 품질 검사를 위한 데이터 지원.
▪디스크리트 장치:다이오드 및 트랜지스터와 같은 분리 장치에 전압 테스트를 수행 할 수 있으며, 이러한 장치의 성능이 다른 전압 환경에서 표준을 충족하는지 보장합니다.
▪통합 회로:융합 회로와 마이크로 전자 분야에서는 높은 전압 환경에서 칩의 안정성과 신뢰성을 보장하기 위해 칩 관련 테스트에 사용됩니다.
▪재료 연구:반도체 재료의 전기적 특성을 연구하기 위해, 고전압 출력 및 측정 기능을 통해 재료의 특성을 분석합니다.새로운 반도체 재료의 연구 및 개발에 기여.
▪센서:다양한 센서에 대한 성능 검증 테스트 솔루션을 제공하고, 고전압 환경을 시뮬레이션하고, 극심한 전압 조건에서 센서의 성능을 감지합니다.
▪교육 분야:통합 회로 및 마이크로 전자 교육 실험실에 전문적인 장비를 제공합니다.학생 들 이 고전압 검사 의 원칙 과 작동 방법 을 배우게 하고 실제적 능력 을 향상 시키도록 도와.
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| 브랜드 이름: | PRECISE INSTRUMENT |
| 모델 번호: | CS1010C |
| MOQ: | 1 단위 |
| 포장에 대한 세부 사항: | 통. |
| 지불 조건: | T/T |
1010C 반도체 및 물질 특성화를 위한 시험용 다채널 SMU 단위
1010C 모듈형 차체는 최첨단 기술과 혁신적인 엔지니어링을 통합합니다.현대 R&D 및 산업용 애플리케이션의 다양한 요구에 맞춘 고성능 테스트 솔루션을 제공이 매우 적응 가능한 플랫폼은 상호 교환 가능한 기능 하위 카드의 원활한 적응을 지원하는 통합 아키텍처를 갖추고 있습니다.반도체 검증을 통해 복잡한 테스트 시나리오의 정밀 실행을 가능하게 합니다., 첨단 재료 특성화, 다채널 센서 캘리브레이션
제품 특성
▪다채널 동기화:서브카드 수량/형의 유연한 구성
▪고속 변속기:3Gbps 백플레인 대역폭과 16채널 트리거 버스는 μs 수준의 동기화 정확성을 보장합니다.
▪표준 크기:19인치 표준 랙 호환성 공간 효율적인 통합
▪산업용 신뢰성:다층 EMI 보호 및 지능형 공기 냉각 시스템
▪멀티 프로토콜 인터페이스:GPIB/RS-232/기가비트 이더넷 인터페이스, 원활한 연결을 위해.
▪SCPI 지휘 지원:크로스 플랫폼 장치 캐스캐딩 제어 기능을 허용합니다.
▪광범위한 호환성:Pusces CS/CBI 시리즈 서브 카드와 원활한 통합
제품 매개 변수
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부문 |
매개 변수 |
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슬롯의 수 |
10개의 채널 |
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통신 인터페이스 |
RS-232, GPIB, 이더넷 |
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전원 공급 사양 |
AC 100-240V, 50/60Hz, 최대 전력 1000W |
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작동 환경 온도 |
25±10°C |
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크기 |
552mm × 482mm × 354mm |
신청서
▪전력 반도체:시 (실리콘 카비드) 와 가 (가륨 나이트라이드) 로 대표되는 전력 반도체의 다양한 테스트에 사용되며, 분사 전압 테스트 및 노화 테스트를 포함합니다.전력 반도체 연구 개발 및 품질 검사를 위한 데이터 지원.
▪디스크리트 장치:다이오드 및 트랜지스터와 같은 분리 장치에 전압 테스트를 수행 할 수 있으며, 이러한 장치의 성능이 다른 전압 환경에서 표준을 충족하는지 보장합니다.
▪통합 회로:융합 회로와 마이크로 전자 분야에서는 높은 전압 환경에서 칩의 안정성과 신뢰성을 보장하기 위해 칩 관련 테스트에 사용됩니다.
▪재료 연구:반도체 재료의 전기적 특성을 연구하기 위해, 고전압 출력 및 측정 기능을 통해 재료의 특성을 분석합니다.새로운 반도체 재료의 연구 및 개발에 기여.
▪센서:다양한 센서에 대한 성능 검증 테스트 솔루션을 제공하고, 고전압 환경을 시뮬레이션하고, 극심한 전압 조건에서 센서의 성능을 감지합니다.
▪교육 분야:통합 회로 및 마이크로 전자 교육 실험실에 전문적인 장비를 제공합니다.학생 들 이 고전압 검사 의 원칙 과 작동 방법 을 배우게 하고 실제적 능력 을 향상 시키도록 도와.
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